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邁可諾技術(shù)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī) |
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閱讀：549 發(fā)布時(shí)間：2021/02/01
光刻是通過(guò)光照射投影的方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形刻在涂有光刻膠的硅片上，通過(guò)光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。利用旋涂技術(shù)，將光刻膠均勻涂布在硅片表面
通過(guò)掩模曝光后，曝光部分的光刻膠會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，大的光刻膠分子分解成較小的分子。下一步顯影，將硅片浸入有機(jī)溶劑中以除去已曝光光刻膠區(qū)域，溶劑僅溶解在曝光過(guò)程中產(chǎn)生的小分子，后使用兩種方法將圖案轉(zhuǎn)移到硅片上。一種方法是蝕刻，將硅片從蝕刻后未涂覆光刻膠的圖案區(qū)域化學(xué)去除，去除剩余的光刻膠以揭示蝕刻到硅片表面的圖案。另一種方法是剝離，其中在整個(gè)硅片上沉積金屬層，然后去除光刻膠，使金屬與之成為wei一的區(qū)域。金屬涂層是所需的圖案，其中在顯影步驟中先前已除去了光刻膠。
